NEM-ILLÉKONY NANOKRISTÁLYOS FÉLVEZETŐ MEMÓRIÁK
Basa Péter, Horváth Zsolt József, Jászi Tamás, Molnár György,
Pap Andrea Edit, Dobos László, Tóth Lajos, Pécz Béla
Magyar Tudományos Akadémia,
Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet,
1121 Budapest, Konkoly Thege Miklós út 29-33.
E-mail: basa@mfa.kfki.hu
Pap Andrea Edit, Dobos László, Tóth Lajos, Pécz Béla
Magyar Tudományos Akadémia,
Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet,
1121 Budapest, Konkoly Thege Miklós út 29-33.
E-mail: basa@mfa.kfki.hu
A cikk röviden tárgyalja a nem-illékony memóriaelemek működési elvét, a méretcsökkentéssel kapcsolatos technológiai problémákat, és azok lehetséges megoldását nanokristályos szerkezetek segítségével. Ismerteti a nanokristályos memóriák előállítási módszereit és az eddigi legjobb publikált eredményeket. Összefoglalja a Si és Ge nanokristályokat tartalmazó MNOS szerkezeteken a szerzők által kapott eredményeket, melyek szerint a megfelelő méretű nanokristályok jelenléte az MNOS memóriaszerkezetek töltésbeviteli és töltéstárolási tulajdonságait is javítja.