GaInAsP/InP infravörös diódák és lézerek
RAKOVICS VILMOS, PÜSPÖKI SÁNDOR, SERÉNYI MIKLÓS, RÉTI ISTVÁN, BALÁZS JÁNOS, BÁRSONY ISTVÁN
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet
rakovics@mfa.kfki.hu
MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet
rakovics@mfa.kfki.hu
Az infravörös tartományban sugárzó GaInAsP/InP félvezető lézereket és infravörös diódákat előállítottunk elő. A GaInAsP és InP rétegek növesztésére folyadékfázisú növesztési technológiát dolgoztunk ki, amelyet sikeresen alkalmaztunk különböző hullámhosszú új félvezető eszközök kifejlesztésére. Ebben a cikkben röviden összefoglaljuk az általunk kifejlesztett lézerek és infravörös diódák legfontosabb paramétereit és felhasználási területüket.