BUZÁSNÉ JAMRICH KLÁRA-SZENDRŐ ISTVÁN:
Fémezés előtti műveletek szerepe az IC-technológiában
A félvezető gyártás folyamán komoly problémát okoz a bipoláris integrált áramköröknél (IC), hogy a már kinyitott kontaktusablakokban a levegőn, ill. a reziszt műveleteket követő kémiai tisztítás során egy vékony ~2—10 nm „szilícium-oxid" réteg keletkezik. E vékony oxidréteg megakadályozhatja a kontaktusablakokba párologtatott fém (pl. alumínium, platina) és a szilícium közötti jó kontaktus, a fém-fél vezető ötvözet kialakulását. Ezért szükséges egy végső oxideltávolító lépés (frissítés) a fémezést közvetlenül megelőzően. A legtöbb IC-technológiában a legfelső réteg „oxidált-foszforüveg" (xP206-ySi02), amire szükség van jó getterező hatása miatt. A hagyományosan frissítésre használt marókban az „oxidál t-foszforüveg" lényegesen nagyobb sebességgel maródik, mint a termikus Si02 . így frissítéskor az ablakokban újraképződött oxidréteg eltávolítása során az inaktív területek felett levő getterező hatású foszforüvegből sok lemaródik. Munkánk során olyan marókkal dolgoztunk, ahol e két réteg marási sebessége közelii egymáshoz. A frissítés hatékonyságát, azaz a jó kontaktus kialakulását legbiztosabban a fém-félvezető átmenet elektromos tulajdonságainak mérésével lehet kimérni. A cikk különböző marókkal végzett eltépő idejű frissítések hatásának kimérésével foglalkozik Schottky-dióda karakterisztikájának minősítésén keresztül.