SZELŐCZEI LÁSZLÓ—RÉTI SÁNDOR—DR. KORMÁNY TERÉZ:
Belső getterezés a Si-szelettechnológiában
A technológiai folyamat során indukálódó kristályhibák és a nemkívánatos szennyezők koncentrációjának csökkentésére több getterezési eljárás is alkalmazható. A 70-es évek végén publikált belső getterezés előnye, hogy a Si-egykristály ponthibáinak tudatos befolyásolásával érhető el a kívánt hatás. A cikkben ismertetjük az eljárást, befolyásoló paramétereit, valamint a belső getterezés hatását a szeletgörbületre, ill. a pn-átmenetek szivárgási áramának csökkenésére.