HORVÁTH ZSOLT—STUBNYA GYÖRGY—NÉMETH TIBOR—TÜTTŐ PÉTER—PONOMARENKO JURIJ:
Alacsony hőmérsékleten leválasztott szigetelő rétegek letörési vizsgálatai
A dielektrikum rétegeket széleskörűen alkalmazzák a félvezető technológiában. Ezen rétegek letörési tulajdonságai nagymértékben hatnak vagy egyenesen meghatározzák az eszközök gyártási kihozatalát és megbízhatóságát. Alacsony hőmérsékleten leválasztott plazmás SisN4 és CVD Si02 rétegek letörési tulajdonságait olyan számítógépvezérelt mérési összeállítás segítségével vizsgáltuk,mely lehetővé teszi a rétegek elfáradási tulajdonságainak vizsgálatát is. A kapott letörési eredményeket az extrémérték statisztika integrált eloszlási ábrázolása segítségével értékeltük ki. Ez az ábrázolás kiemeli az eloszlás legfontosabb részét, a kis térerősség értékeknél letörést mutató kondenzátorok hatását, melyek meghatározzák az eszközkihozatalt és a megbízhatóságot. Az eloszlási görbékből meghatározott, a hibahelyekkel kapcsolatos gyenge pontok aránya mind a Si3N4 , mind a SiOa rétegek esetében jó korrelációt mutat a leválasztás! sebességgel.