Vértesy A. - Lénárt T. - Pál E.:
Diszlokációk és elektromos paraméterek
korrelációjának vizsgálata félvezetőeszközökben
A félvezetőeszköz-gyártás egyes technológiai lépései során sokféle rácshiba keletkezhet a félvezető egykristályban, ami kedvezőtlenül befolyásolhatja az eszközök fizikai tulajdonságait. A szerzők a roncsolásmentes röntgen-topográfiai módszer alkalmazásával a magas hőmérsékletű hőkezelés és diffúzió által keltett rácshibák hatását vizsgálták a félvezető eszközök letörési és szivárgási paramétereire és azt tapasztalták, hogy a rácshibák hatására csökkennek a letörési feszültségek és megnőnek a szivárgási áramok.