Dr. Gottwald P. — Dr. Ambrózy A.
Adalékelosztás mérése vékony GaAs és Si
epitaxiális rétegekben
A Budapesti Műszaki Egyetemen kifejlesztett roncsolásmentes adalékeloszlás-mérő berendezés kerül ismertetésre. A berendezés p-n (vagy Schottky) átmeneteken a rétegkapacitás feszültségfüggése alapján mér adalékeloszlást, amelyeket X-Y rajzolón ábrázol. Az ábrázolható adalékeloszlást N(w).w!/As4.1()il.cm-3-ínns/™, egyenlőtlenség definiálja. A legkisebb vizsgálható átmenet keresztmetszete 10-4 cm2, de ennek 1000-szerese is mérhető A mérés közben változó veszteségeket a berendezés automatikusan kompenzálja.