Andrási A.-né - Barna Á. - Barna B. P. - Beleznay
F. - Mojzes I. - Pödör B. - Sebestyén T. - Stark Gy. -
Szentpáli B. - Szép I.
GaAs alapú Gunn-diódák 7-10 GHz-es frekvencia-
sávra
A cikk összefoglalja a Gunn-diódák fejlesztésének eredményeit, a diódakészítés technológiáját, valamint a diódákon végzett különböző vizsgálatok eredményeit. Ismerteti a GaAs epitaxiás rétegek elektromos tulajdonságait, valamint a belőlük készített Gunri-diódák alacsony frekvenciás és nagyfrekvenciás tulajdonságait. A diódák kimenőteljesítménye 50-70 mW folyamatos üzemben, 5-6%-os hatásfok mellett.